做LED照明的朋友都懂,白光LED封装环节最闹心的就是点荧光胶!传统封装要先把蓝光芯片分档,再一颗颗点胶,不仅效率低到想哭,

还总出问题——荧光胶量忽多忽少、分布不均,芯片侧边冒黄圈,甚至焊线金球粘胶导致挂球,良率和品质双拉胯,成本还居高不下,真的太折磨人了!

好在晶能光电(江西)有限公司的团队带来了破局方案!他们公开的“一种晶圆级白光LED芯片的制备方法及其实现装置”发明专利,靠一块网状掩膜体+丝网漏印技术,

直接在晶圆级完成荧光胶涂覆,一次性搞定整片晶圆的白光制备,不仅效率翻倍,还能保证荧光胶均匀,发光亮度一致,堪称LED封装行业的“降本提效神器”~

一、先吐个槽:传统白光LED封装,4个致命坑谁都躲不开!

在这款晶圆级制备方案出来之前,行业里做白光LED基本都靠传统封装工艺,核心坑点一抓一大把,每一个都让企业头疼:

对很多LED企业来说,要么承受低效率高成本,要么接受低良率,两难之下利润被层层压缩,尤其是中小企业,根本扛不住市场竞争压力。

二、专利核心神设计:网状掩膜+晶圆级漏印,一次搞定整片荧光胶

其实这个专利的核心思路特别好理解:既然单颗点胶问题多,那就直接在晶圆层面批量涂覆荧光胶;用网状掩膜体精准覆盖芯片的n电极焊盘和切割道,

只让发光台面漏出涂胶,既避免荧光胶污染电极,又能保证涂胶均匀。整个方案流程清晰,还设计了3种实施例适配不同生产需求,新手也能快速上手:

核心逻辑:7步完成制备,晶圆级批量操作效率拉满

不管哪个实施例,核心流程都离不开这7步,关键就是“掩膜精准遮挡+晶圆级批量涂胶”,彻底告别单颗操作:

  1. 第一步:制备垂直结构晶圆片。在生长衬底上外延生长铟镓铝氮半导体发光薄膜,形成垂直结构的铟镓铝氮发光二极管晶圆片

    (垂直结构只有一个面发光,最容易实现光斑均匀);

  2. 第二步:贴网状掩膜体。把网状掩膜体贴在晶圆片上,掩膜图形专门覆盖所有芯片的n电极焊盘,有的还会覆盖切割道,避免后续涂胶污染这些关键区域;

  3. 第三步:涂覆荧光胶。在贴合好掩膜体的晶圆片上整体涂覆荧光胶,不用逐颗点涂;

  4. 第四步:刮平+脱泡+初步固化。用刮刀把荧光胶刮平(刮刀刀刃轮廓还能匹配晶圆片翘曲度,保证涂胶厚度均匀),然后进行脱泡处理,再初步固化让荧光胶不再流动;

  5. 第五步:分离掩膜体。把网状掩膜体和晶圆片分开,分离方式很灵活,可一次性瞬间分离、卷绕分离,也能用溶剂溶解分离;

  6. 第六步:二次固化。对荧光胶进行二次固化,保证胶层牢固、性能稳定;

  7. 第七步:划片分颗。对晶圆片进行划片,获得单颗白光LED芯片,后续封装只需焊线和做透镜,不用再点荧光胶。

3种实施例:适配不同场景,灵活选不折腾

专利特别贴心地设计了3种实施例,企业可以根据自己的产能、设备情况选,不用一刀切:

1. 基础款(实施例一):丝网承载掩膜,一次性分离

这个方案适合追求批量效率的常规场景,核心是把掩膜图形做在丝网上,形成网状掩膜体。对版贴合后涂覆荧光胶,刮平固化后,因为掩膜体固定在刚性框架上,

能实现和晶圆片一次性脱离,操作简单快捷。关键要注意,掩膜图形厚度不小于20μm,漏印区和n电极焊盘边界的交叠区宽度不小于荧光胶厚度的50%,避免漏蓝光。

2. 整体款(实施例二):掩膜一体成型,精准暴露焊盘

这个方案的特点是网状掩膜体由掩膜图形互相连接形成独立整体,不用依托丝网。掩膜图形的焊盘覆盖部分要稍小于金属焊盘,切割道的掩膜图形也要和

发光台面保持一定距离,既能避免漏蓝光,又能保证后续焊盘和切割道正常暴露。涂胶时要刮到掩膜图形上的荧光胶完全干净,确保胶层厚度均匀。

3. 一体款(实施例三):掩膜直做晶圆上,固化后去除

如果担心掩膜体贴合不准,就选这个方案。直接在晶圆片上做掩膜图形,和晶圆成为一体,材料可以是光刻胶或电镀金属。先整平掩膜图形再涂胶刮平,

荧光胶固化后,用对应方法去除掩膜(光刻胶用硫酸双氧水混合液或有机溶剂,金属用无机酸腐蚀,且不破坏电极和荧光胶),最后清洗烘干划片即可。

关键小细节:参数+装置双保障,品质不翻车

专利里还有很多贴心设计,保证方案落地性和产品品质:

三、核心优势:为啥说它是LED封装的“刚需神器”?

这个晶圆级制备方案能解决行业痛点,靠的是4个实打实的优势,每一个都戳中企业需求:

四、落地价值:LED行业规模化生产的“关键助力”

现在LED照明行业竞争越来越激烈,降本提效、保证品质是每个企业的核心需求,这个专利的实用价值直接拉满:

对企业来说,不用投入巨资改造生产线,借助现有设备配合专用装置就能落地,既能提升效率、降低成本,又能保证产品品质,在市场竞争中更有优势;

对行业来说,这种晶圆级白光制备方案,解决了传统封装的诸多痛点,推动白光LED产业向更高效、低成本、高品质的方向发展,助力规模化生产。