HORIBA堀场 LG-117 直联气体监测器

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HORIBA堀场 LG-117 直联气体监测器

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HORIBA堀场 LG-117 直联气体监测器HORIBA堀场 LG-117 直联气体监测器激光气体分析仪LG-100系列是半导体制造中刻蚀工艺产生的SiF4（四氟化硅）分压。※1变化可以实时测量。 根据该变体，刻蚀定义为指定的深度（端点※2将有可能确定它是否已经到达。 它降低了蚀刻不足和…

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Product Detail

HORIBA堀场  LG-117  直联气体监测器

HORIBA堀场  LG-117  直联气体监测器

激光气体分析仪

LG-100系列是半导体制造中刻蚀工艺产生的SiF4（四氟化硅）分压。※1变化可以实时测量。 根据该变体，刻蚀定义为指定的深度（端点※2将有可能确定它是否已经到达。 它降低了蚀刻不足和过度蚀刻的风险，有助于提高半导体制造工艺的生产率和良率。

该产品配备了HORIBA于2021年开发的专有红外气体分析技术IRLAM。TM实现对ppb级微量气体的高度灵敏度和高速（0.1秒）测量。 它有助于在先进技术如GAA晶体管结构和高长弦比接触孔形成中实现端点鉴别，这些技术是前沿逻辑半导体大规模生产所必需的。

  • 对蚀刻过程中废气成分的高精度和高速测量

  • 端点可以通过被测气体分压指示的变化来检测

  • 适用于非等离子体工艺

  • 配备专有的IRLAM红外气体分析技术，实时高灵敏度和速度的测量

它实时测量由蚀刻引起的SiF4分压变化。 现在可以基于SiF4的这一变化确定终点。 通过安装IRLAM，可以直接测量产生的微量气体，并以0.1秒的速度测量ppb级的微量气体。 这有助于降低蚀刻不足和过度蚀刻的风险，并有助于提高良率。

  • 改进功能和响应最先进工艺的开发

通过测量蚀刻产生的烟气成分，可以确认蚀刻过程中的现象。 为了推动不断发展的半导体制造工艺，我们持续扩展该产品的功能，如增加测量气体靶的组分数量和提升响应速度。 尖端逻辑半导体需要更先进的传感技术，以实现GAA晶体管结构和过程控制，以形成高长弦比接触孔。 通过该产品的推出，将有助于提升这些尖端半导体制造工艺的生产率。

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