HORIBA堀场 EV2.0 LR 等离子监测仪

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HORIBA堀场  EV2.0 LR 等离子监测仪

HORIBA堀场 EV2.0 LR 等离子监测仪

HORIBA堀场 EV2.0 LR 等离子监测仪HORIBA堀场 EV2.0 LR 等离子监测仪在半导体制造过程中,等离子体技术被广泛应用于多种制造工艺,包括沉积和蚀刻。该等离子体发射监测仪可用于广泛应用,从各种等离子体腔体的研发到生产线,如工艺末端检测、状态管理和等离子体诊断。从…

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HORIBA堀场  EV2.0 LR 等离子监测仪

HORIBA堀场  EV2.0 LR 等离子监测仪

在半导体制造过程中,等离子体技术被广泛应用于多种制造工艺,包括沉积和蚀刻。
该等离子体发射监测仪可用于广泛应用,从各种等离子体腔体的研发到生产线,如工艺末端检测、状态管理和等离子体诊断。
从三种新开发的高分辨率、宽范围和小型机型中,您可以根据您的应用选择最合适的规格。 专用分析软件还能满足从等离子体微小信号变化到等离子体过程异常的精确检测和监测等离子体过程的广泛需求。

  • 从3种型号中选择,以满足您的需求

  • 工艺腔直接连接到窗户

  • 先进的专用软件提供从研发到大规模生产的广泛服务

  • 单台计算机最多可同时测量6个腔室(6个等离子体发射监测仪)

模型高分辨率
EV2.0 HR
宽续航
EV2.0 STD
紧凑型
EV2.0 LR
测量波长范围300 - 800 nm200 - 1050 nm300 - 900 nm
焦距75毫米75毫米20毫米
波长分辨率1 nm2.5纳米6.5纳米
探测器背面入射CCD图像传感器
(元件数:2048 x 16)
传感器单元尺寸105 x 135 x 135 毫米105 x 135 x 135 毫米70 x 135 x 125 毫米
传感器单元质量850克850克610克
传感器单元电源规格直流24V直流24V直流24V
应用软件Sigma-P、Recipe Designer2.0