ULVAC爱发科 沉积设备 VTR-151M

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ULVAC爱发科 沉积设备 VTR-151M

ULVAC爱发科 沉积设备 VTR-151M

ULVAC爱发科 沉积设备 VTR-151MULVAC爱发科 沉积设备 VTR-151M溅射是一种物理气相沉积（PVD）技术，这是一种将原子从靶材释放出来，形成基板上的薄膜的过程。溅射过程始于将惰性气体（如氩）引入真空腔室，然后施加电压以产生等离子体。 接下来会发生“溅射”现象，即…

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ULVAC爱发科  沉积设备  VTR-151M

ULVAC爱发科  沉积设备  VTR-151M

溅射是一种物理气相沉积（PVD）技术，这是一种将原子从靶材释放出来，形成基板上的薄膜的过程。

溅射过程始于将惰性气体（如氩）引入真空腔室，然后施加电压以产生等离子体。 接下来会发生“溅射”现象，即等离子体中的氩离子与靶材碰撞，击落靶表面的原子。 最终，被喷射的原子到达基底，形成具有均匀且高质量特性的薄膜。

ULVAC的小型实验室溅射设备提供高精度沉积技术，非常适合研发和小规模生产。 其紧凑设计使其能够在狭小空间中高效使用。

它是一种紧凑型的高频溅射装置，配备射频电源。
它能够沉积金属、半导体和绝缘体，非常适合基础研究和开发等实验。

特色

  • 它是一种用于绝缘体、金属和半导体材料的溅射器件。

  • 我们主泵使用涡轮分子泵。

  • 三根阴极×2英寸，可实现多层沉积，最多可达3层。

  • 磁控管溅射可提供30 nm/min（SiO2）的溅射速率。

  • 它配备了基底加热机制（350°C）。

规格

模型VTR-151M/SRF（SCOTT-C3）
真空性能达到压力6.6×10-4爸
排气时间6.6×10-3Pa/5分钟
真空罐真空罐金属腔体（内径Φ310.5毫米×高度160毫米）
阴极2英寸，3元
推荐板子尺寸Φ2“（Φ50.8mm）×t1毫米
有效沉积范围25毫米
胶片成形速度SiO2沉积>30 nm/min
胶片厚度分布25毫米面积10%内的SiO2沉积±
基材加热温度最高350°C
基板/电极距离50毫米 ~ 90毫米（可变：半固定）
排气系统主泵涡轮分子泵 250L/sec
液氮陷阱ー
辅助泵油转真空泵 200升/分钟
油雾陷阱油雾拦截器 OMT-200A
运营部门主阀门蝶阀
辅助阀门三通阀
自动泄漏阀选项
运营手动
控制系统射频电源最大300瓦（0~300瓦可变）
皮拉尼真空计GP-1GRY
电离真空计ISG1/SH2-1
设置最大尺寸1081毫米（宽）×853毫米（深）×1104毫米（高）
质量400公斤



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