OTSUKA大塚电子测量仪器 FE-5000

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OTSUKA大塚电子测量仪器 FE-5000OTSUKA大塚电子测量仪器 FE-5000产品信息特点可在紫外和可见（250至800nm）波长区域中测量椭圆参数可分析纳米级多层薄膜的厚度可以通过超过400ch的多通道光谱快速测量Ellipso光谱通过可变反射角测量特点● 可在紫外和可见（250至…

OTSUKA大塚电子测量仪器 FE-5000

产品信息特点可在紫外和可见（250至800nm）波长区域中测量椭圆参数可分析纳米级多层薄膜的厚度可以通过超过400ch的多通道光谱快速测量Ellipso光谱通过可变反射角测量

特点

● 可在紫外和可见（250至800nm）波长区域中测量椭圆参数

● 可分析纳米级多层薄膜的厚度

● 可以通过超过400ch的多通道光谱快速测量Ellipso光谱

● 通过可变反射角测量，可详细分析薄膜

● 通过创建光学常数数据库和追加菜单注册功能，增强操作便利性

● 通过层膜贴合分析的光学常数测量可控制膜厚度/膜质量

测量项目

测量椭圆参数（TANψ，COSΔ）

光学常数（n：折射率，k：消光系数）分析

薄膜厚度分析

用途

半导体晶圆
栅氧化膜，氮化膜
SiO2，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al2O3，SiNxOy，poly-Si，ZnSe，BPSG，TiN
光学常数（波长色散）

复合半导体
AlxGa（1-x）多层膜、非晶硅

FPD
取向膜
等离子显示器用ITO、MgO等

各种新材料
DLC（类金刚石碳）、超导薄膜、磁头薄膜

光学薄膜
TiO2，SiO2多层膜、防反射膜、反射膜

光刻领域
g线（436nm）、h线（405nm）、i线（365nm）和KrF（248nm）等波长的n、k评估

规格

型号	FE-5000
样品尺寸	200x200毫米
入射（反射）的角度范围	45至90°
*入射点直径2**	关于φ1.2sup*3
*测定波长范围5**	250至800纳米
平台驱动方式	手动/自动
装载机兼容	可
尺寸，重量	1300（W）×900（D）×1750（H）mm 约350公斤*7

*1可以驱动偏振器，可以分离不感带有效的位相板。
*2取决于短轴角度。
*3对应微小点（可选）
*4它是使用VLSI标准SiO2膜（100nm）时的值。
*5可以在此波长范围内进行选择。
*6光源因测量波长而异。
*7选择自动平台时的值。

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