OTSUKA 大塚电子 硅晶圆厚度监测器 SF-3

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OTSUKA 大塚电子 硅晶圆厚度监测器 SF-3

OTSUKA 大塚电子 硅晶圆厚度监测器 SF-3

OTSUKA 大塚电子 硅晶圆厚度监测器 SF-3OTSUKA 大塚电子 硅晶圆厚度监测器 SF-3CMP或BG下硅晶圆厚度的实时测量特色非接触式、非破坏性测量谱分析后的参数设置CMP、BG期间的高速实时监控对保护膜和窗户材料等夹层进行测量多层分析原始分析引擎（专利申请中）原始的厚度测量…

产品详情

Product Detail

OTSUKA 大塚电子 硅晶圆厚度监测器 SF-3

OTSUKA 大塚电子 硅晶圆厚度监测器 SF-3


CMP或BG下硅晶圆厚度的实时测量

特色

  • 非接触式、非破坏性测量

  • 谱分析后的参数设置

  • CMP、BG期间的高速实时监控

  • 对保护膜和窗户材料等夹层进行测量

  • 多层分析

  • 原始分析引擎（专利申请中）

  • 原始的厚度测量解析算法（专利）

  • 厚度分布的自动映射函数

 

测量项目

  • 薄膜厚度分析（5层）

 

应用

  • 硅晶圆材料的厚度测量

  • 硅/化合物半导体的研磨评估

  • 1.3毫米/下一代450毫米晶圆

  • 775微米300毫米晶圆

  • TSV晶圆（过孔上的硅层厚度测量）

  • 其他材料（SiO2，薄膜）

关键特点

硅专用高精度：近红外光源适配硅，纳米级重复精度，满足超薄 / 厚晶圆制程要求

高速实时监控：5 kHz 采样，适配 CMP/BG 高速研磨，无滞后闭环控制

非接触无损：光纤探头距晶圆50–200 mm，不损伤表面 / 微结构

穿透测量能力：可穿透保护膜、研磨液、玻璃窗口，适应恶劣产线环境

体积小易集成：主机仅123×224×128 mm，光纤探头灵活安装，适配各类研磨机 / 抛光机

多层解析：可同时测量硅层 + 胶层 + 支撑基板厚度，适配临时键合 / TSV 制程