▲芯片制造背景
芯片,被誉为现代工业的璀璨明珠,承载着人类科技的精髓。其核心组件——晶体管,虽工作原理并不繁杂,但在微小的空间内集成数以百亿计的晶体管,
却构成了人类有史以来最繁复的工程挑战。在深入探讨晶圆之前,我们首先概述一下芯片制造的宏大背景。这一过程涵盖数百道精细工序,
可概括为四大阶段:芯片设计、晶圆制备、芯片制造(前道工序),以及封装测试(后道工序)。
▲ 芯片制造的阶段及分工
在芯片行业,我们会遇到诸如Fabless、Foundry、IDM等关键术语。这些术语与芯片行业的分工紧密相关。通常,某些企业专注于芯片设计,而不涉足制造、
封装和测试环节。这类企业被称为Fabless,例如高通、英伟达、联发科以及(之前的)华为等。另一方面,有些企业专门从事芯片生产,但并不拥有自主品牌的芯片。
这些企业被称为Foundry,即晶圆代工厂。其中,我国台湾省的台积电是这一领域的佼佼者,而中芯国际(SMIC)、联华电子(UMC)、华虹集团等也属于此类。
▲ 芯片行业术语
芯片制造的难度远超芯片设计,这是行业内公认的事实。尽管国内众多企业已具备先进制程芯片的设计能力,但实际生产却面临重重困难。这些术语如Fabless、Foundry、
IDM代表了芯片行业的不同分工,各有所专。具备IDM全流程能力的企业,全球范围内并不多见,包括英特尔、三星、德州仪器、意法半导体等几家知名企业。
晶圆制备流程
接下来,我们将深入探讨芯片制造的具体流程。首先,我们不得不从晶圆制备这一基础环节说起。
这就是晶圆,而芯片的制造过程中,沙子扮演着不可或缺的角色。虽然听起来有些不可思议,但事实上,芯片确实是由沙子演变而来的。
这得益于沙子中丰富的硅元素,为芯片的制造提供了必要的原材料。
▲ 硅的提取与提纯
虽然沙子中确实含有硅,但其纯度较低,主要以二氧化硅(SiO2)的形式存在。直接从普通沙子中提炼硅并不可行,因此,为了获取足够的硅元素,
我们通常需要选择含硅量较高的石英砂矿石进行加工。沙子中的二氧化硅是芯片制造的重要原材料,经过高温化学反应和多重提纯工艺,最终获得高纯度的电子级硅。
▲ 拉单晶硅工艺
经过高度提纯后的硅呈现为多晶形态,而为了进一步应用在芯片制造等高端领域,需要将其转化为单晶硅。单晶硅以其完美的晶体结构成为高端芯片制造的不可或缺的材料。
单晶硅以其完美的晶体结构和卓越的性能而著称,相比之下,多晶硅的晶粒大且不规则,缺陷较多,性能相对较差。因此,在制造高端芯片时,单晶硅成为了不可或缺的材料。
将多晶硅转化为单晶硅,目前行业内普遍采用的方法是柴克拉夫斯基法,又称直拉法。在此过程中,高纯度的多晶硅首先被加热至熔化状态,进而形成液态硅。
接着,将一根细小的单晶硅作为引子(也被称为硅种或籽晶)缓缓伸入硅溶液中。随后,通过缓慢地向上旋转和提拉,使得被拉出的硅溶液在温度梯度的作用下逐渐凝固,形成固态的硅柱。
在硅种的引导下,离开液面的硅原子会按照一定的顺序凝固,从而形成排列有序的单晶硅柱。
▲ 晶圆切割与加工
经过一系列复杂的工艺流程,最终会拉制出一根直径约为30厘米,长度大约在1至1.5米之间的圆柱形硅柱。这根硅柱,被称作晶棒或硅锭,是整个拉晶过程的最终产品。
在拉制出硅锭后,需要去除其两端,然后将其精细地切割成一片片均匀厚度的薄片,这些薄片被称为硅片。晶圆切割采用金刚线多线切割机,得到的晶圆片经过倒角、
研磨、抛光等工艺,形成光滑如镜的晶圆。切割后的硅片被称为“裸片”,即未经处理的原始晶圆。这些裸片的表面不仅粗糙,还可能残留有切割液和碎屑。
因此,必须经过倒角、研磨、抛光和清洗等工艺,才能得到光滑如镜的“成品晶圆”。
晶圆的常见问题
▲ 晶圆尺寸及标准化
在实际生产中,经过处理的成品晶圆,其尺寸规格多样,常见的有2英寸(50mm)、3英寸(75mm)、4英寸(100mm)、5英寸(125mm)、6英寸(150mm)、
8英寸(200mm)以及12英寸(300mm)等。晶圆尺寸如8英寸、12英寸等需严格遵循标准规格,以在相同工艺条件下,最大化面积和可使用率。
小尺寸晶圆中,8英寸和12英寸的晶圆最为普遍。这些晶圆的厚度必须严格遵循诸如SEMI规格等标准。
▲ 圆形晶圆的优势
那么,为什么晶圆是圆形的呢?这背后有几个关键原因。首先,单晶硅在生长过程中呈现为圆柱体,切割后自然形成圆盘状晶圆。其次,圆柱形单晶硅锭更易于运输,
能有效减少因碰撞导致的材料损失。再者,圆形晶圆在制造过程中更容易实现均匀加热和冷却,从而降低热应力,提升晶体质量。此外,圆形晶圆的设计对于后续芯片
工艺也有一定的促进作用。最后,从面积利用率的角度来看,圆形晶圆也具有显著优势,因为晶圆上将制作众多芯片,而芯片本身是方形的,所以圆形晶圆能更有效地利用空间。
▲ 晶圆材料的多样性
尽管如此,随着半导体技术的不断发展,已经出现了多种不同的材料选项。虽然90%的芯片使用硅材料,但随着时代发展,砷化镓、氮化镓等新型半导体材料逐步进入应用领域。
目前,半导体材料已经历了四代的演变。最初,第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)为代表,奠定了半导体行业的基础。随后,第二代半导体材料如砷化镓
(GaAs)和磷化铟(InP)的出现,进一步推动了行业的发展。到了第三代,氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等材料的崛起,使得半导体技术得以进一步突破。
而如今,我们已进入第四代半导体材料时代,以氮化铝(AlN)、氧化镓(Ga2O3)以及金刚石(C)等新型材料为代表,预示着行业的新篇章。