1. 三极管工作原理
三极管由三层半导体材料构成，形成两个PN结，其结构一般为NPN或PNP型。以NPN型为例，它由左至右依次是：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
发射极是高浓度的N型掺杂区，富含大量自由电子；
基极是非常薄的P型掺杂区，掺杂浓度较低，含有少量空穴；
集电极是普通浓度的N型掺杂区，含有正常数量的自由电子。
在没有加偏置电压的情况下，发射结（发射极与基极之间）和集电结（基极与集电极之间）都会形成耗尽层，阻止电流通过。
当给发射结加正向偏置（即BE间加电），大量发射极中的自由电子会被推动进入基区。然而，由于基区极薄且空穴浓度低，这些电子中只有少部分与空穴复合，
大部分电子会在尚未复合前扩散到集电结处。
此时，如果在集电结上加反向偏置（即CE间加电），集电极的正电压会进一步吸引这些电子穿越集电结的耗尽层，进入集电极，从而形成主电流。
整个导通过程的关键在于：
发射结正向偏置，使电子注入基区；
基区极薄、复合率低，大部分电子得以通过；
集电结反向偏置，使电子顺利漂移进入集电极；
每注入一个电子形成的空穴，会被其他电子迅速填补，形成连续导通。
最终，从发射极注入的每个电子，大约有β倍的数量被集电极收集，形成放大效应。
优点：导通功耗低
2：Mos管工作原理
以NPN型为例，两边是高浓度N型掺杂，底部P型掺杂除了正电空穴，还会带有少数负电的自由电子，
中间会有耗尽层上面黄色是绝缘层，蓝色是金属基板，底部蓝色区域也有一块金属衬底和P区贴在一起。
当给栅极G施加电压，两块基板之间形成电场，会吸引自由电子向上。当电压达到一定值时，中间形成的自由电子铺满形成沟道，此时沟道与N区相连。当给S和D通电，电子就能通过实现导通。
优点：控制功耗低
3.IGBT工作原理
上面我们聊到了，三极管和MOS管的工作原理，也清楚了它们的优缺点，那么能否中和它们的优缺点点？把两者的优势结合到一起呢，这就是IGBT啦。
IGBT是将高浓度N型掺杂放在中间，再包围P型掺杂（其中含有少数自由电子），底部是多层掺杂，顶部基板是源极S，底部基板是漏极D，
加上电源，现在PN结增大无法直接导通，下一步在两侧P区和N区的交汇处，加上绝缘层和金属基板，这就是栅极。